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    【海外教授主講課程】“Advanced Transistors先進電子器件”線上開課通知

    發布時間:2020-12-02  發布作者:  點擊數:

       一、課程概況:

        本次課程:4天授課,分別在:12月2日、8日、16日、23日。

        課程內容:將從MOS電容的應用:制造、測量技術,建模、參數提取,性能調控;到MOSFET(金屬/氧化物/半導體-場效應晶體管)1 μm至28 nm微縮技術:包括靜電問題和技術解決方案;再到先進SOI MOSFET與FinFET(鰭式場效應晶體管)器件:涉及28nm及以下 CMOS技術工藝的優勢與難點,與器件性能;最后,將晶體管應用拓展至高壓高頻領域:包括JFET(結型場效應晶體管)、MESFET(金屬/半導體場效應晶體管)、VDMOS(垂直擴散場效應晶體管)和LDMOS(橫向擴散場效應晶體管)等器件。

    課程基礎:具備《固體物理》、《半導體物理》、《電子器件基礎》等半導體物理、電子器件或集成電路的相關基礎知識。

     

      二、教授簡介:

     

        Denis Flandre,比利時,法語[新]魯汶大學(Université catholique de Louvain),電子工程,教授。多年來,從事半導體電子器件與集成電路領域的教學科研工作;教學經驗豐富,科研成果突出。Flandre教授,總計發表1000余篇學術論文/著作:包括獨立編寫5本專著、參與28本書籍編著;擁有12項歐洲發明實用型專利;創立1家電子產業公司CISSOID、任職3家科技公司顧問(Incize、e-Peas、VOCSens);主持多項歐盟科研課題;等。目前研究方向包括:半導體數字模擬與集成電路,MOS器件,傳感器和MEMS,以及高速、低壓低功率、微波、生物醫學、輻射硬化、高溫電子和微系統等特殊應用與研發領域。

     

       三、時間安排:

        1. 12月02日(星期三),16:00-18:35,MOS capacitor applications : fabrication, measurement techniques, modelling, parameters extraction, quality control.

       騰訊會議ID:721 774 954

        2. 12月08日(星期二),16:00-18:35,Scaling the bulk MOSFET from 1 μm to 28 nm : electrostatic problems and technological solutions.

        騰訊會議 ID:281 741 616

        3. 12月16日(星期三),16:00-18:35,Advanced SOI MOSFETs and FinFETs : scaling CMOS below 28 nm, advantages and difficulties, performance of interest.

        騰訊會議 ID:927 657 941

        4.  12月23日(星期三),16:00-18:35,Pushing the transistors to higher voltages and frequencies : the JFET, MESFET, VDMOS and LDMOS devices.

        騰訊會議 ID:329 867 309

     

       四、校內聯系人:

    物理與微電子科學學院:李國立

    QQ:775650245,Email: liguoli_lily@hnu.edu.cn

     

    歡迎高年級本科生、碩士研究生及博士生、或青年教師,參與線上聽課!

     

    為方便線上課堂交流與課程資料共享,請加入課程交流QQ群854731855:

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    地址:湖南省長沙市岳麓區麓山南路研究生院樓D棟4層

    電話:0731-88821224(綜合辦)、88822856(招生辦)
    88822824(培養辦)、88823112(學位辦)

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