一、課程概況：

    本次課程：4天授課，分別在：12月2日、8日、16日、23日。

    課程內容：將從MOS電容的應用：制造、測量技術，建模、參數提取，性能調控；到MOSFET(金屬/氧化物/半導體-場效應晶體管)1 μm至28 nm微縮技術：包括靜電問題和技術解決方案；再到先進SOI MOSFET與FinFET(鰭式場效應晶體管)器件：涉及28nm及以下 CMOS技術工藝的優勢與難點，與器件性能；最后，將晶體管應用拓展至高壓高頻領域：包括JFET(結型場效應晶體管)、MESFET(金屬/半導體場效應晶體管)、VDMOS(垂直擴散場效應晶體管)和LDMOS(橫向擴散場效應晶體管)等器件。

課程基礎：具備《固體物理》、《半導體物理》、《電子器件基礎》等半導體物理、電子器件或集成電路的相關基礎知識。

  二、教授簡介：

    Denis Flandre，比利時，法語[新]魯汶大學(Université catholique de Louvain)，電子工程，教授。多年來，從事半導體電子器件與集成電路領域的教學科研工作；教學經驗豐富，科研成果突出。Flandre教授，總計發表1000余篇學術論文/著作：包括獨立編寫5本專著、參與28本書籍編著；擁有12項歐洲發明實用型專利；創立1家電子產業公司CISSOID、任職3家科技公司顧問（Incize、e-Peas、VOCSens）；主持多項歐盟科研課題；等。目前研究方向包括：半導體數字模擬與集成電路，MOS器件，傳感器和MEMS，以及高速、低壓低功率、微波、生物醫學、輻射硬化、高溫電子和微系統等特殊應用與研發領域。

   三、時間安排：

    1. 12月02日（星期三），16:00-18:35，MOS capacitor applications : fabrication, measurement techniques, modelling, parameters extraction, quality control.

   騰訊會議ID：721 774 954

    2. 12月08日（星期二），16:00-18:35，Scaling the bulk MOSFET from 1 μm to 28 nm : electrostatic problems and technological solutions.

    騰訊會議 ID：281 741 616

    3. 12月16日（星期三），16:00-18:35，Advanced SOI MOSFETs and FinFETs : scaling CMOS below 28 nm, advantages and difficulties, performance of interest.

    騰訊會議 ID：927 657 941

    4.  12月23日（星期三），16:00-18:35，Pushing the transistors to higher voltages and frequencies : the JFET, MESFET, VDMOS and LDMOS devices.

    騰訊會議 ID：329 867 309

   四、校內聯系人：

物理與微電子科學學院：李國立

QQ：775650245，Email: liguoli_lily@hnu.edu.cn

歡迎高年級本科生、碩士研究生及博士生、或青年教師，參與線上聽課！

為方便線上課堂交流與課程資料共享，請加入課程交流QQ群854731855：